Law/특허법1 반도체장치 제조방법 독립항과 종속항의 진보성 — 대법원 1995. 9. 5. 선고 94후1657 판결 I. 반도체 공정 특허에서 종속항의 진보성 문제반도체 제조는 수백, 수천 단계의 공정으로 구성된다. 웨이퍼에 도핑영역을 만들고, 그 위에 절연막을 쌓고, 콘택트를 뚫고, 장벽층을 형성하고, 그 위에 금속 배선을 올린다. 각 Step은 온도·압력·시간·재료라는 정밀한 파라미터로 특정되며, 한 단계의 변경점이 Fab out된 소자에 누적적으로 영향을 미친다. 이러한 산업에서 발명은 대부분 전체 공정의 어딘가에 새로운 단계를 끼워 넣거나 기존 단계의 파라미터를 변경함으로써 소자의 성능을 끌어올리는 방식으로 이루어진다.특허 청구항을 어떻게 작성할 것인가의 문제는 단순한 형식의 문제가 아니다. 특허청구범위에 의해 권리보호범위가 결정되므로, 후속발명에의 침해 주장 및 본 발명 실시 등에 관한 권리보호범위와 선행발명.. Law/특허법 2026. 5. 28. 이전 1 다음
