I. 반도체 공정 특허에서 종속항의 진보성 문제
반도체 제조는 수백, 수천 단계의 공정으로 구성된다. 웨이퍼에 도핑영역을 만들고, 그 위에 절연막을 쌓고, 콘택트를 뚫고, 장벽층을 형성하고, 그 위에 금속 배선을 올린다. 각 Step은 온도·압력·시간·재료라는 정밀한 파라미터로 특정되며, 한 단계의 변경점이 Fab out된 소자에 누적적으로 영향을 미친다. 이러한 산업에서 발명은 대부분 전체 공정의 어딘가에 새로운 단계를 끼워 넣거나 기존 단계의 파라미터를 변경함으로써 소자의 성능을 끌어올리는 방식으로 이루어진다.
특허 청구항을 어떻게 작성할 것인가의 문제는 단순한 형식의 문제가 아니다. 특허청구범위에 의해 권리보호범위가 결정되므로, 후속발명에의 침해 주장 및 본 발명 실시 등에 관한 권리보호범위와 선행발명에 의한 침해 공격을 받을 위험성의 이율배반성을 고려해 작성되므로, 특허 청구항 작성에는 복합적으로 고려될 사항이 많다. 대규모 자본이 투입되고 상하류 산업과 긴밀성이 커 표준 기술이 특히 필요한 반도체 기술분야에서는 더욱 고려할 것이 많을 것이다.
문제는 종속항이 한정하는 단계들이 그 자체로는 이미 산업계에 알려진 기술인 경우가 압도적으로 많아 진보성이 문제된다는 점이다.
Doping·Deposition·Etching·Annealing과 같은 반도체 제조공정에서의 단위공정 기술은 1980년대 이후 광범위한 공지 영역에 속한다. 그렇다면 종속항의 진보성을 어떻게 판단할 것인가? 종속항이 부가한 한정 사항 자체가 공지라는 사실만으로 종속항의 진보성을 부정할 수 있는가? 대법원 1995. 9. 5. 선고 94후1657가 바로 이 쟁점을 다뤘다.
II. 사실관계와 경과
1. 발명의 기술적 배경 — 반도체 금속배선의 신뢰성 문제
반도체 소자에서 알루미늄을 금속 배선의 재료로 사용할 때 발생하는 고전적 문제는 스파이크 현상이었다.[1] 알루미늄과 실리콘이 직접 접촉한 상태로 열처리를 거치면 알루미늄 원자가 하부의 도핑영역으로 확산되어 접합부를 침투한다. 이 침투가 누설 전류를 만들어 소자의 신뢰성을 떨어뜨린다. 1980년대 반도체 공정의 핵심 과제 중 하나가 이 스파이크를 어떻게 막을 것인가였다.
이 문제를 해결하기 위해 알루미늄과 실리콘 사이에 장벽층을 두는 기술이 등장한다. 티타늄(Ti)과 질화티타늄(TiN)을 차례로 쌓은 이중 장벽층이 대표적이다. Ti는 실리콘과 접촉하여 실리사이드층을 형성하면서 접촉저항을 낮추고, TiN은 알루미늄의 확산을 차단하는 역할을 맡는다. 1986년에 공개된 일본 후지쯔의 특허(공개특허공보 昭61-183942, 이하 '인용발명')[2]가 이 Ti/TiN 이중 장벽층 기술의 전형이다. 콘택트창을 가진 절연층 위에 Ti와 TiN을 차례로 형성하고 가열하여 금속실리사이드층을 만든 뒤 알루미늄층을 올리는 공정이다.
이 사건 본원발명(이하 '본원발명')[3]은 이 기본 구조를 한 단계 더 밀어붙인다. 장벽층을 형성한 다음 금속배선막을 올리기 전에, 장벽층 자체에 이온을 주입하여 비정질화한 후 다시 열처리한다는 단계가 추가된다. 이온주입으로 장벽층의 결정 구조가 비정질로 바뀐 뒤 열처리를 거치면서 미세구조가 재배열되고, 그 결과 장벽층의 차단 성능이 한층 강화된다. 동시에 Ti와 실리콘 사이의 실리사이드 반응도 더 안정적으로 진행되어 접촉저항이 개선된다. 본원발명의 요부는 바로 이 '장벽층 이온주입 → 비정질화 → 열처리' 단계에 있다.
2. 청구항의 구조
본원발명의 청구항은 종결 형식이 "...반도체장치의 제조방법"으로 끝나 물건 발명이 아니라 방법 발명에 해당한다.[4] 청구항 종결이 물건이면서 제조방법으로 특정되는 PBP(Product-by-Process) 청구항과 구별된다. 본 사건에서는 청구항 종결이 "제조방법"인 이상 보호 대상은 그 공정의 실시 자체이며, 동일한 반도체장치를 다른 방법으로 만들었다면 침해가 성립하지 않는다.
본원발명의 청구항은 1개의 독립항과 7개의 종속항(제7항은 보정 과정에서 삭제되어 실질적으로 6개)으로 구성되어 있다.[5]
| 항 | 종속 관계 | 내용 요약 | 한정 대상 |
| 제1항 (독립항) | — | 도핑영역 형성 → 절연막·개구 형성 → 장벽층(2층 이상) 형성 → [금속배선막 형성 전] 장벽층에 이온주입하여 비정질화한 후 열처리 → 금속배선막 형성 | 전체 공정 (요부: 이온주입·비정질화·열처리) |
| 제2항 | 제1항 종속 | 도핑영역의 형성 방법을 이온주입방법 또는 확산영역으로 특정 | 도핑영역 형성 방법 |
| 제3항 | 제1항 종속 | 장벽층을 Ti(제1장벽층)와 TiN(제2장벽층)의 이중층으로 특정 | 장벽층 재료·구성 |
| 제4항 | 제3항 종속 | 제1·2장벽층의 형성 방법을 스퍼터링 또는 진공증착으로 특정 | 장벽층 형성 방법 |
| 제5항 | 제1항 종속 | 열처리 공정의 조건을 Ar 분위기 600℃로 특정 | 열처리 조건 |
| 제6항 | 제5항 종속 | 열처리 시 도핑영역과 제1장벽층 사이에 실리사이드층 형성됨을 명시 | 열처리 결과 |
| 제8항 | 제1항 종속 | 금속배선막의 재료를 Al로 특정 | 금속배선막 재료 |
* 청구항 원문 전문은 KIPRIS(출원번호 89-20735) 공개공보 및 92항원2412 심결 참조.
청구항의 구조를 보면 종속항들이 무엇을 한정하는지가 드러난다. 제2항은 독립항이 일반적으로 기재한 '도핑영역 형성 공정'의 구체적 실시 태양을, 제3항과 제4항은 '장벽층 형성 공정'의 구체적 구성과 형성 방법을, 제5항과 제6항은 '열처리 공정'의 구체적 조건과 결과를, 제8항은 '금속배선막'의 재료를 각각 한정한다. 종속항들이 한정하는 영역은 모두 독립항에 이미 일반적으로 기재된 단계들이며, 본원발명의 요부인 '장벽층 이온주입 → 비정질화 → 열처리'를 직접 한정하는 종속항은 없다.
이 청구항 구조에서 드러나는 것은, 종속항들이 한정한 영역의 기술 내용이 대부분 공지 영역에 속한다는 점이다. 도핑영역을 이온주입이나 확산으로 형성하는 것은 반도체 제조의 기본 기술이고, Ti/TiN 이중 장벽층은 인용발명에 그대로 개시되어 있으며, 스퍼터링과 진공증착도 박막 형성의 표준 기법이다. 최근에는 Cu를 넘어 Co, Ru 등도 금속 배선재료로 쓰이고 있지만, Al을 금속배선 재료로 쓰는 것은 당시 반도체 공정의 표준이라 할 수 있다.
3. 본원발명 제1항과 인용발명의 구성 대비
본원발명 제1항과 인용발명의 구성을 대비하면 차이는 단 하나다. 인용발명에 없는 '장벽층 이온주입 → 비정질화 → 열처리' 공정이 그것이다. 항고심판소도 이 점에서 제1항의 진보성을 인정했다.
| 구성 요소 | 본원발명 제1항 | 인용발명 (昭61-183942) |
| 도핑영역 형성 | ○ | ○ |
| 절연막·개구 형성 | ○ | ○ |
| 장벽층(Ti 제1층 + TiN 제2층) 형성 | ○ | ○ |
| 금속배선막(Al) 형성 | ○ | ○ |
| 장벽층에 이온주입하여 비정질화 후 열처리 | ○ (요부) | ✕ (미개시) |
* 인용발명은 Ti/TiN 장벽층 형성 후 가열하여 금속실리사이드층을 형성하는 공정은 개시하나, 장벽층에 이온주입하여 비정질화하는 공정은 포함하지 않는다.
4. 항고심판소의 판단
특허청은 1992. 10. 9.자 거절사정으로 본원발명 전체에 대해 진보성을 부정했다. 출원인은 이에 불복하여 항고심판소에 항고심판을 청구했고(92항원2412), 항고심판소는 1994. 8. 16. 다음과 같이 판단했다.[6]
청구항 제1항에 관해서는 진보성을 인정했다. 본원발명의 요부인 '장벽층에 이온주입하여 장벽층을 비정질화한 후 열처리하는 공정'이 인용발명에 없고, 이로 인해 알루미늄 원자의 확산이 억제되어 스파이크 발생을 막고 누설전류를 방지하며 제1장벽층이 실리사이드화되어 접촉저항이 개선되는 효과가 인정된다는 것이 그 이유였다.
문제는 청구항 제2항 이하에 대한 항고심판소의 판단이다. 제2항은 도핑영역 형성 방법을 이온주입 또는 확산영역으로 한정하고 있는데, 도핑영역을 이온주입이나 확산으로 형성하는 것은 반도체 제조분야의 공지기술이며 인용발명으로부터 통상의 기술자가 충분히 실시할 수 있다. 제3항의 Ti/TiN 이중 장벽층은 인용발명과 동일하다. 나머지 청구항들도 인용발명의 공정·구성과 동일하다. 따라서 제1항을 제외한 청구항들에 대해서는 권리를 인정할 수 없다는 것이다.
항고심판소의 위 판단은 종속항을 마치 독립항처럼 단독으로 인용발명과 대비한 결과로 보인다. 제2항을 "도핑영역을 이온주입 또는 확산으로 형성하는 반도체 제조방법"이라는 하나의 완결된 발명으로 읽고, 그 발명이 인용발명에 의해 통상의 기술자 기준으로 용이하게 도출되는지를 따진 것이다. 제3항에 대해서도 마찬가지로 "Ti/TiN 이중 장벽층을 형성하는 반도체 제조방법"이라는 별개의 발명으로 취급했다.
종속항이 한정한 내용 자체는 모두 공지 영역에 속하므로, 그것에 특허를 부여하는 것은 권리자가 공지기술에 대해서도 권리를 취득하는 것처럼 보일 수 있다. 항고심판소의 우려는 아마도 이 지점에서 출발했을 것이다. 그러나 독립항과의 관계에서 종속항이 갖는 종속성을 정확히 이해한다면, 다른 결론이 나올 수 있다.
III. 대법원의 판단
1. 청구항 해석의 출발점 — 독립항과 종속항의 구별 원리
구 특허법 제8조 제2항과 제4항은 특허출원서에 청구의 범위를 기재하도록 하고, 보호받고자 하는 사항을 1개 또는 2개 이상의 항으로 명확하고 간결하게 기재하도록 규정한다.[7] 구 특허법시행령 제2조의3은 청구항을 기재할 때 발명의 구성에 없어서는 안 되는 사항 중 보호받고자 하는 사항을 독립항으로, 그 독립항을 기술적으로 한정하고 구체화하는 사항을 종속항으로 기재하도록 규정하고 있다.[8] 본 사건에 적용된 것은 1990년 전부개정 전의 구 특허법과 구 특허법시행령이지만, 청구항을 독립항과 종속항으로 구별하여 기재하도록 한 기본 골격은 현행법에도 그대로 이어진다. 따라서 본 판결의 청구항 해석 법리는 현행법 사건에서도 그대로 통용된다.[9]
대법원은 위 특허 청구항에 대한 규율의 취지를 i) 발명자의 권리범위의 경계를 명확하게 구별하는 것 ii) 특허분쟁이 생겼을 때 침해 여부를 명확하고 신속하게 판단할 수 있도록 하는 것 두 목적으로 해석한다. 이에 따라 대법원은 선행 판례를 인용하면서 다음과 같이 정리한다.
"독립항은 특허발명으로 보호되어야 할 범위를 넓게 포섭하기 위하여 발명의 구성을 광범위하게 기재하고, 종속항은 그 범위 속에서 구체화된 태양을 제시하여 주어 그 독립항을 기술적으로 한정하고 구체화한 사항을 기재하여야 한다."[10]
독립항은 보호받을 발명의 경계를 그리고, 종속항은 그 외곽선 안에 구체적 실시 태양을 기술한다. 종속항은 독립항과 별개의 발명을 청구하는 것이 아니라, 독립항이 그린 외곽선의 안쪽에 있는 구체적 점들을 짚어주는 것에 한정되는 것이다.
2. 본 사건 청구항이 종속항이라는 판단
"본원 특허청구범위 제2항은 일반적인 반도체장치 제조에 있어서의 도핑영역을 형성하는 방법에 관한 공지기술을 기재한 것이 아니라, 독립항인 위 특허청구범위 제1항에서의 요부인 '장벽층에의 이온주입 및 열처리공정'이 포함된 반도체장치의 제조방법에 있어서 그 선행단계인 도핑영역을 형성하는 여러 가지 방법 중에서 단지 이온주입방법과 확산영역의 방법에 대하여만 그 실시 태양을 지정함으로써 위 독립항을 기술적으로 한정하고 구체화한 사항을 기재한 것이라고 보여지고, 위 특허청구범위 제3항 이하의 경우에도 마찬가지라 할 것이므로 이들은 모두 종속항에 해당한다."
항고심판소는 청구항 제2항을 "도핑영역을 이온주입 또는 확산으로 형성하는 반도체 제조방법"이라는 일반적 공지기술의 청구로 해석했다. 이에 따르면 제2항은 인용발명과 같은 공지기술의 영역에 있고, 진보성이 부정되는 것이다.
대법원의 해석은 항고심판소의 해석과 달랐다. 제2항은 일반적 공지기술을 청구하는 것이 아니라, 독립항 제1항의 요부('장벽층 이온주입 및 열처리 공정')가 이미 포함된 전체 공정 안에서, 그 가운데 한 단계인 도핑영역 형성의 실시 태양을 지정하는 것이다. 다시 말해 제2항이 청구하는 것은 "도핑영역 형성 방법"이 아니라 "독립항 전체 공정 + 도핑영역의 특정 실시 태양"이다.
3. 종속항은 독립항의 전체 구성을 내포한다
청구항 제2항을 비롯한 종속항들이 모두 종속항으로 확인되는 이상, 종속항들은 본질적으로 독립항의 전체 구성을 그대로 내포한다. '제1항에 있어서'라는 표현은 형식적 인용 문언이 아니라 독립항의 모든 구성을 청구항 안으로 끌어들이는 법적 장치로 독립항과 종속항 관계의 논리적 본질을 드러낸다.
제1항과의 본질적 관계를 고려하여 제2항의 실질적 내용을 풀어 쓰면 아래와 같다.
"[도핑영역 형성 → 절연막·개구 형성 → 장벽층 형성 → 장벽층 이온주입·비정질화·열처리 → 금속배선막 형성의 전체 공정]을 거치되, 그중 도핑영역은 이온주입 또는 확산으로 형성하는 반도체장치의 제조방법."
제2항이 청구하는 것은 단순한 도핑영역 형성 방법이 아니다. 독립항의 요부인 '장벽층 이온주입·비정질화·열처리'를 포함한 전체 공정이 그대로 들어가 있고, 거기에 도핑영역 형성의 구체적 실시 태양이 한정으로 더해진 것이다. 종속항이 부가한 한정 사항은 이 전체 공정 안에서 한 단계의 실시 가능한 여러 태양 중 일부를 좁히는 역할만 한다.
제3항도 마찬가지다. 제3항은 "장벽층을 Ti/TiN으로 형성하는 반도체 제조방법"이 아니라 "독립항의 요부를 포함한 전체 공정에서 장벽층을 Ti/TiN 이중층으로 한정한 것"이다. 제5·6·8항도 동일한 구조다. 모든 종속항이 독립항의 요부를 그대로 내포하고 있다.
종속항이 다른 종속항을 인용하는 제4항의 경우에도 결론은 같다. 제4항이 제3항을 인용하고 제3항이 독립항 제1항을 인용하는 이상, 제4항 역시 독립항 제1항의 전체 구성을 내포한다.[11]
4. 독립항 진보성 인정 → 종속항 진보성 당연 인정
여기까지 정리되면 진보성에 관한 쟁점의 결론은 "당연히" 따라온다.[12]
"위 특허청구범위 제2항 이하는 선행되는 위 특허청구범위 제1항(독립항)의 전체 특징을 포함한 종속항들로서 위 독립항에 진보성이 인정되는 이상 그 종속항인 위 특허청구범위 제2항 이하에도 당연히 진보성이 인정된다."
종속항은 독립항의 전체 구성을 내포한다. 따라서 종속항을 인용발명과 대비하면, 종속항 안에는 독립항이 가진 진보성 있는 요부가 그대로 들어가 있다. 인용발명에는 그 요부가 없다. 그러므로 종속항과 인용발명 사이에는 항상 그 요부만큼의 진보성 있는 구성 차이가 존재한다. 종속항이 부가한 한정사항 자체가 공지된 사실인지 여부는 이 결론에 영향을 미치지 못한다.
종속항이 한정하는 단계가 독립항의 요부와 같은 단계일 필요는 없다. 본 사건의 종속항들은 모두 독립항의 요부가 아닌 다른 공정 Step에서 한정하고 있다. 제2항은 요부('장벽층 이온주입·비정질화·열처리')가 아니라 '도핑영역 형성' Step을 한정하고, 제3항은 '장벽층 구성' Step을 한정한다. 그럼에도 종속항이 독립항의 전체 구성을 내포한다는 사실은 변하지 않는다. 종속항이 어느 공정 Step을 한정하든, 한정되지 않은 모든 단계 역시 독립항에서 기재된 그대로 종속항 안에 내포되어 있는 것이다.
IV. 결론
본 판결의 법리를 정리하자면 다음과 같다.
1) '제○항에 있어서'라는 인용 문언은 단순한 기술적 배경 표시가 아니라 독립항의 전체 구성을 종속항 안으로 끌어들인다.
2) 진보성 판단의 단위는 청구항 전체이지 청구항의 부분이 아니다. 종속항이 부가한 한정 사항만 떼어 공지기술과 대비하여 판단해서는 안 된다.
3) 독립항에 진보성이 인정되면 그 전체 구성을 내포하는 종속항에도 진보성이 당연히 승계된다. 종속항이 부가한 한정 사항 자체가 공지 영역에 속하는지 여부는 이 결론에 영향을 미치지 않는다.
결론적으로 종속항의 진보성 판단을 위해서는 독립항의 진보성을 우선 판단해야 한다.
본 판결은 1995년에 나왔지만 청구항 해석의 출발점으로서 30년이 지난 지금도 그대로 유효하다. 다단계 공정이 핵심을 이루는 반도체·재료·바이오 산업에서, 종속항을 '부가된 한정 사항'으로 읽지 않고 '독립항의 전체 구성을 내포한 청구항'으로 읽는 시각은 청구항 작성 및 해석의 기본 전제일 것이다.
각주
[1] 스파이크 현상의 기술적 메커니즘과 1980년대 반도체 공정에서의 의의에 관한 상세한 설명은 본 블로그의 반도체 소자·공정 학습노트(3) https://readingyou.tistory.com/entry/반도체-소자공정-학습노트3-JunctionsContacts2을 참조.
[2] 일본국 공개특허공보 昭61-183942(1986. 8. 16. 공개, 1985. 2. 8. 出願 昭60-23018). 출원인: 富士通株式会社(후지쯔). 발명자: 藤田一朗·柳村秀行·角田一夫. 발명의 명칭: 半導体装置の製造方法. 일본 특허청의 J-PlatPat(https://www.j-platpat.inpit.go.jp)에서 공개번호 입력으로 원문 확인 가능.
한편, 후지쯔는 1978년 세계 최초로 64K RAM 양산화에 성공한 반도체 강자였다. 본 사건 인용발명이 공개된 1986년 무렵은 일본 반도체 기업들이 전 세계 반도체 시장의 80% 이상을 점유하던 전성기였고, 후지쯔는 NEC·도시바·히타치와 함께 그 한 축을 차지했다. 그러나 한국과 미국 기업의 추격, 엔고 충격, 수직통합 모델의 경직성이 겹치면서 일본 반도체 산업은 1990년대 이후 급격히 쪼그라들었다. 후지쯔는 2008년 반도체 부문을 자회사(후지쯔 세미컨덕터)로 분사하고, 2013년에는 시스템 LSI 사업을 파나소닉과 합병(현 Socionext)하는 한편 제조 공장을 TSMC에 매각하는 방향으로 사실상 반도체 제조에서 손을 뗐다. 2025년에는 남아 있던 메모리 법인이 RAMXEED라는 이름으로 사명을 바꾸어 FeRAM·ReRAM 등 차세대 메모리 시장에서 명맥을 잇고 있다.
[3] 본 사건 출원의 정보는 다음과 같다. 출원번호: 89-20735. 출원일: 1989. 12. 31. 공개번호: 91-13495(1991. 8. 8. 공개). 출원인: 삼성전자 주식회사. 발명자: 박창수·안용철·박종호. 대리인: 변리사 이영필. 거절사정일: 1992. 10. 9. 한국 특허청 KIPRIS(http://kipris.or.kr)에서 출원번호 입력으로 공개공보 원문 확인 가능.
[4] 현행 특허법 제2조 제3호는 발명의 실시를 "물건의 발명인 경우", "방법의 발명인 경우", "물건을 생산하는 방법의 발명인 경우"로 나누어 정의함으로써 발명의 세 유형을 전제하고 있다. 본 사건에는 구 특허법이 적용되지만, 발명을 물건 발명·방법 발명·물건을 생산하는 방법의 발명으로 구분하는 구조 자체는 구법과 현행법이 동일하다. PBP 청구항의 보호범위 판단에 관하여는 대법원 2015. 1. 22. 선고 2011후927 전원합의체 판결 참조.
[5] 청구항 원문 전문은 한국 특허청 KIPRIS(http://kipris.or.kr, 출원번호 89-20735) 공개공보 및 항고심판소 92항원2412 심결(1994. 8. 16.) 참조. 공개공보(91-13495, 1991. 8. 8. 공개) 상의 청구항은 출원 당시의 초기 문언으로, 보정 과정에서 '비정질화' 표지 추가 등 문언이 변경되었다. 제7항은 보정 과정에서 삭제되었다.
[6] 특허청 항고심판소 1994. 8. 16.자 92항원2412 심결. 환송 전 원심결. 구법 체계 심판번호로, 현행 KIPRIS 특허심판원 심결검색(https://kipris.or.kr)에서 사건번호 '92항원2412'로 조회 가능. 심결은 제2항의 "이온주입방법 또는 확산영역으로 형성"이라는 기재에 대해 '방법'과 '영역'이라는 이질적 개념을 병렬 나열한 것으로 불분명하다고 지적했으나, 대법원은 이 점을 독자적 파기 사유로 삼지 않았다.
[7] 구 특허법(1990. 1. 13. 법률 제4207호로 전부개정되기 전의 것) 제8조 제2항·제4항. 현행 특허법 제42조 제2항·제4항에 해당한다. 현행 제42조 제2항: "제1항에 따른 특허출원서에는 발명의 설명·청구범위를 적은 명세서와 필요한 도면 및 요약서를 첨부하여야 한다." 현행 제42조 제4항: "제2항에 따른 청구범위에는 보호받으려는 사항을 적은 항(이하 '청구항'이라 한다)이 하나 이상 있어야 하며, 그 청구항은 다음 각 호의 요건을 모두 충족하여야 한다. 1. 발명의 설명에 의하여 뒷받침될 것. 2. 발명이 명확하고 간결하게 적혀 있을 것." 전문은 law.go.kr에서 확인 가능.
[8] 구 특허법시행령(1990. 8. 28. 대통령령 제13078호로 전부개정되기 전의 것) 제2조의3. 현행 특허법시행령 제5조에 해당한다. 현행 시행령 제5조 제1항: "청구항을 기재할 때에는 독립청구항(이하 '독립항'이라 한다)을 기재하여야 하며, 그 독립항을 한정하거나 부가하여 구체화하는 종속청구항(이하 '종속항'이라 한다)을 기재할 수 있다." 전문은 law.go.kr에서 확인 가능.
[9] 구 특허법 제6조 제2항(진보성). 현행 특허법 제29조 제2항에 해당한다. 현행 제29조 제2항: "특허출원 전에 그 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 사람이 제1항 각 호의 어느 하나에 해당하는 발명에 의하여 쉽게 발명할 수 있으면 그 발명에 대해서는 제1항에도 불구하고 특허를 받을 수 없다." 전문은 law.go.kr에서 확인 가능. 진보성 판단의 기본 골격은 구법과 현행법이 동일하다.
[10] 대법원 1989. 7. 11. 선고 87후135 판결. 본 판결은 87후135 판결의 법리를 그대로 인용·재확인하였다. 같은 취지의 후속 판결로 대법원 1989. 6. 27. 선고 88후967 판결, 대법원 1992. 2. 25. 선고 91후578 판결 등이 있다. '한정한다'는 용어는 구 특허법시행령 제2조의3 및 현행 특허법시행령 제5조 제1항에 "독립항을 기술적으로 한정하고 구체화하는 사항" 또는 "독립항을 한정하거나 부가하여 구체화하는 종속청구항"이라는 형태로 들어가 있는 특허법상 정착된 법률 용어다.
[11] 종속항이 다른 종속항을 인용하는 다중 종속(제4항→제3항→제1항, 제6항→제5항→제1항)의 경우에도 동일한 원리가 적용된다. 제4항은 제3항을 통해, 제6항은 제5항을 통해 각각 독립항 제1항의 전체 구성을 내포한다. 현행 특허법시행령 제5조 제1항은 "종속항을 한정하거나 부가하여 구체화하는 다른 종속항을 기재할 수 있다"고 규정하여 이러한 다중 종속 구조를 허용하고 있다.